Longèdonn luminesans lazè semi-kondiktè a se 0 ak chanjman tanperati. 2-0. 3 nm / ℃, lajè spectre ap ogmante, afekte klere koulè a. Anplis de sa, lè aktyèl la pou pi devan ap koule nan junction pn a, epi fè zòn junction a pwodui yon pèt fyévreuz, tanperati tou pre tanperati chanm lan, tanperati monte pou chak 1 ℃, entansite lumineux nan lazè semi-conducteurs pral korespondan redwi apeprè 1%, enkapsulasyon refwadisman ; Kenbe pite koulè ak entansite luminesans trè enpòtan. Nan tan lontan an, aktyèl la kondwi nan pi lazer semi-conducteurs te redwi pa diminye tanperati a junction. Kondwi aktyèl la nan pifò lazè semi-conducteurs te limite a apeprè 20mA. Sepandan, pwodiksyon optik lazè semi-conducteurs yo ap ogmante ak ogmantasyon aktyèl la. Kondwi aktyèl la nan lazè semi-conducteurs pouvwa anpil ka rive nan nivo 70mA, 100mA e menm 1A. Estrikti anbalaj la bezwen amelyore. Pou egzanp, gwo-zòn estrikti envèsyon chip la adopte, se adezif an ajan ak bon konduktiviti tèmik chwazi, se zòn nan sipò nan metal ogmante, ak konpayi asirans lan Silisyòm nan soude boul dirèkteman enstale nan metòd la koule chalè. Anplis de sa, konsepsyon tèmik ak konduktiviti tèmik nan tablo sikwi PCB yo trè enpòtan tou nan konsepsyon aplikasyon an.
Semiconductor lasers kondwi aktyèl