3W 940nm VCSEL Lazè Chip

3W 940nm VCSEL Lazè Chip

2100mW nan 2500mA
Voye rechèch
Chat kounye a
Dekri teren

1W 940nm VCSEL Lazè Chip



Espesifikasyon mekanik

Dimansyon

devan: 51 mil × 45 mil (1280±25um ×1130±25um)

do: 51 mil × 45 mil (1280±25um ×1130±25um)

epesè: 6mil (150±25um)

pad lyezon: 92±15um×1070±15um×2

Ouverture: 7±2 um

Anplasman emisyon: 44±1 um

Kantite emisyon: 621


Materyèl ak Estrikti

Substra: GaAs

p-metalizasyon: Au alyaj

n-metalizasyon: Au alyaj

estrikti epitaksyal: InGaAs MQWs


3W 940nm VCSEL Laser Chip


Karakteristik


Paramèt Typ.
Longèdonn Sant 940±10nm
Pouvwa Sòti 3W
Avant Voltage 1.95V
Mwatye Vag 1.1nm
Efikasite pant 1.02W/A
Longèdonn dominan 44.1%
Tanperati longèdonn. Koefisyan 0.07nm/℃
Kouran ranvèse 1uA



Baj popilè: 3w 940nm vcsel lazè chip founisè, manifaktirè Lachin, faktori, wholesale, te fè nan peyi Lachin