6W 808nm Chip sou Submount Dyòd Lazè
Deskripsyon
Karakteristik
- 6W pwodiksyon pouvwa, 808nm sant longèdonn
- C-mount, F-mount disponib tou
- 0.35nm / degre koyefisyan tanperati longèdonn
- 100um / 200um lajè emeteur, chip sou pake submount
Itilizasyon
- espektroskopi Raman
- Militè / Aerospace
- Defans ak sekirite
- Fib Lazè Ponpe Sous
Espesifikasyon
Nimewo atik:COS808DL6
Non atik: 808nm 6W COS Dyòd Lazè
| Optik | |
| Longèdonn Sant | 808nm±10nm |
| Sortie pouvwa | 6W |
| Lajè emetè | 200um |
| FWHM rapid aks | 35Deg |
| FWHM Ralanti Aks | 10 degre |
| Elektrik | |
| Papòt aktyèl | 1A |
| Fonksyone aktyèl | 7A |
| Fonksyone Voltage | 1.65V |
| Tèmik | |
| Tanperati tès la | 25 degre |
| Depo | -30 ~ 70 degre |
| Koefisyan Tanperati longèdonn | 0.35nm / degre |
Dimansyon
6W 808nm Chip sou Submount Dyòd Lazè, sub-modil yo nan chip la se sub-monte epi yo karakterize pa tèt, anba ak bò aliye.
Li enpòtan sonje ke emeteur lazè dyod yo disponib nan lajè 100/200 μm.
Sou-chip ki monte nan Brandnew Laser yo konnen pou dimansyon eksepsyonèlman kontra enfòmèl ant yo.
Pou asire pèfòmans optimal, pake sa a dyòd lazè SMD bezwen byen soude nan koule chalè a ak yon lantiy aks rapid.
Avèk yon pouvwa pwodiksyon pwisan 6W ak longèdonn sant 808nm, pake lazè sa a disponib nan yon konfigirasyon mòn C-, ak altènativ tankou F-mount.
Anplis de sa, pake a gen yon koyefisyan tanperati longèdonn nan 0.35nm / degre ak yon lajè emeteur nan 100μm oswa 200μm, mete aksan sou adaptabilite nan teknoloji avanse sa a.
Baj popilè: 6W 808nm COS Chip Sou Submount Dyòd Lazè Swèd, manifaktirè Lachin, faktori, wholesale, te fè nan peyi Lachin