Dekri teren
3W 808nm COS Dyòd Lazè Chip
Deskripsyon
Karakteristik
- Lajè emetè 100um/130um
- Koefisyan tanperati longèdonn 0.35nm degre
- Segondè efikasite ki estab ak segondè
- Travay tan lavi plis pase 10000 èdtan
Aplikasyon
- Pwosesis materyèl dirèk
- Sous ponpe eta solid
- Van sans lidar
- Ekleraj lazè
- Espas gratis kominikasyon optik
Espesifikasyon
Nimewo atik:COS808DL3
| Optik | |
| Longèdonn Sant | 808nm±10nm |
| Sortie pouvwa | 3W |
| Lajè emetè | 100/200um |
| Elektrik | |
| Papòt aktyèl | 1A |
| Fonksyone aktyèl | 7A |
| Fonksyone Voltage | 1.65V |
| Tèmik | |
| Tanperati tès la | 25 degre |
Dimansyon
Chip lazè a nou souvan pale sou yo rele tou yon tib sèl. Pwosesis fabrikasyon li yo sanble ak sa yo ki nan chips semi-conducteurs. Li ale nan yon seri de pwosesis tankou fabrikasyon wafer Silisyòm, konsepsyon IC, fabrikasyon IC, sele IC ak tès, epi finalman fè yon ti chip, ki rele yon sèl lazè semi-conducteurs tib. Nouvo pwodwi, 3W 808nm chips sou lazè dyod submount, gwosè pake COS se ideyal pou entegrasyon nan OEM.
Foto modil CoS fabrike ak chema epi-bò lyezon
Baj popilè: 3w 808nm cos diode lazè chip founisè, manifaktirè Lachin, faktori, wholesale, te fè nan peyi Lachin