2W 808nm Fibre makonnen Dyòd Lazè Modil
Apèsi sou lekòl la
Karakteristik:
Konsepsyon kontra enfòmèl ant
Multimode fib 105um, NA 0.22
Ka hermetically sele, elektrik izole
Tèmik-baz kondiktif la ak ti-fib dyamèt fè pwodui sa a ideyal pou aplikasyon ki mande pi gwo fyab ak pi gwo klète.
Aplikasyon:
Tretman lazè medikal, ponpe, lòt moun
Benefis ki genyen nan 808nm kòm yon sous ponp sitou gen ladan efikasite konvèsyon segondè, pri ki ba, ak entegrasyon fò. Youn nan aplikasyon ki pi enpòtan nan lazè semiconductor 808nm kòm sous ponp se kòm yon sous ponp pou lazè solid-. Jodi a, li fondamantalman ranplase sous ponp lanp tradisyonèl yo. Rezon prensipal ki fè chanjman sa a se efikasite konvèsyon segondè ki pa ka reyalize pa ponp lanp tradisyonèl yo. Lazè semiconductor 808nm a gen karakteristik efè pwopòsyon akòz zòn aktif trè mens li yo, ki redwi anpil kouran papòt aparèy la ak amelyore pwodiksyon pouvwa a ak efikasite pwopòsyon lazè a, kidonk reyalize efikasite konvèsyon segondè

Fèy done
Atik Tèb: FC808DL2
| Optik | |
| Longèdonn Sant | 808nm |
| Tolerans longèdonn | ± 5nm |
| Sortie pouvwa | 2W |
| Lajè spectral FWHM | 4nm |
| Elektrik | |
| Fonksyone aktyèl Iop | 2.2A |
| Papòt aktyèl Ith | 0.2A |
| Fonksyone Voltage Vop | 1.8V |
| Pouvwa konvèsyon efikasite | 50% |
| Tèmik | |
| Tanperati Fonksyònman | 15 ~ 35 degre |
| Tanperati Depo | -30 ~ 70 degre |
| Koefisyan Tanperati longèdonn | 0.3nm / degre |
Desen

Baj popilè: 2w 808nm fib makonnen diode lazè modil Swèd, manifaktirè Lachin, faktori, wholesale, te fè nan peyi Lachin










