3W 808nm Single Emeteur Lazè Chip
Nimewo modèl 3W 808nm Single Emitter Laser Chip se LC808SE3, ak yon lajè teren limyè 150μm, longè kavite 1mm, efikasite konvèsyon foto-elektrik nan 60 pousan, ak lavi sèvis ki gen plis pase 10, 000 èdtan. Anplis de sa, chip la itilize tou nouvo konsepsyon estrikti epitaksi ak epitaksi materyèl, avanse konsepsyon fenèt ki pa ponp ak teknoloji preparasyon, korozyon sèk ak mouye konbine avèk teknoloji pwòp tèt ou-aliyman, kontwole konsistans nan lajè teren, espesyalman asire gwo sede anba mas. pwodiksyon, redwi pri a nan chip lazè. An menm tan an, adopsyon de nouvo teknoloji te amelyore anpil karakteristik rezistans tanperati ki wo, se konsa ke 3W 808nm Single Emitter Lazè Chip ka nan tanperati anviwònman an nan 60 degre oswa menm pi wo tanperati anba kondisyon an nan operasyon kontinyèl.
Aplikasyon:
Fib Lazè Ponpe Sous
Soild-eta Lazè Ponpe Sous
Dirèk Semiconductor Lazè
Fèy done:
Atik Tèb: LC808SE3
| Optik | |
| Longèdonn Sant | 808nm |
| Sortie pouvwa | 3W |
| Mòd travay |
CW |
| Lajè spectral FWHM | 2nm |
| Efikasite pant |
1.2W/A |
| Divèjans aks rapid | 35 degre |
| Ralanti divèjans aks | 9deg |
| Mòd polarizasyon | TE |
| Elektrik | |
| Papòt aktyèl | 0.4A |
| Fonksyone aktyèl | 2.8A |
| Fonksyone Voltage | 1.75V |
| Pouvwa konvèsyon efikasite | 60 pousan |
| Tèmik | |
| Tanperati Fonksyònman | 15-35 degre |
| Tanperati longèdonn. Koefisyan | 0.28nm/ degre |
Baj popilè: 3w 808nm sèl émetteur lazè chip founisè, manifaktirè Lachin, faktori, wholesale, te fè nan peyi Lachin