80W 808Nm Multi emeteur lazè chip

80W 808Nm Multi emeteur lazè chip

Atik Non .: LC808SB80
Voye rechèch
Chat kounye a
Dekri teren

80W 808Nm Multi emeteur lazè chip

   

 

Deskripsyon pwodwi

80W 808Nm Lazè Bar chip ak milti emeteur, CW k ap travay mòd . Multi emeteur dyòd dyod gen gwo avantaj nan segondè fyab ak pèfòmans segondè .

Karakteristik:

Segondè pwodiksyon pouvwa 80W, CW mòd k ap travay

100% pouvwa batman, 30% ranpli faktè

Optimize konsepsyon estrikti epitaksyal

Teknoloji inik pou pi wo fyab ak tout lavi

Aplikasyon:

Fib lazè ponpe sous

Otonòm kondwi lidar

Espas gratis kominikasyon optik

Ekleraj lazè

10W 940nm Laser Diode Bare Bar
 

 

Spesifikasyon:

Atik Non .: LC808SB80

 

Optik

Tip

Longèdonn santral

808nm

Pouvwa pwodiksyon

80W

K ap travay mòd

CW

Lajè spectre

4nm

Kantite emeteur

47

Lajè emeteur

100μm

Anplasman emeteur

200μm

Ranpli faktè

50%

Bar lajè

10000μm

Longè kavite

1500μm

Epesè

125μm

Elektrik

 

Opere aktyèl IOP

105A

Papòt aktyèl ith

18A

Opere vòltaj VOP

1.8V

Efikasite konvèsyon

55%

Tèmik

 

Tanperati opere

15-35 degre

Koyefisyan tanperati longèdonn

0.28Nm/ degre

 

Baj popilè: 80W 808NM Multi emeteur lazè chip founisè, manifaktirè Lachin, faktori, en, te fè nan peyi Lachin