300W 808nm QCW Dyòd Lazè Bare Bar
Karakteristik kle:
Semi-conducteurs ki baze sou InGaAs
Optik pwodiksyon pouvwa: 300 watts qcw
Long lavi, segondè fyab
Bare bar se yon etalaj de chips lazè semi-conducteurs endividyèl, ak pouvwa pwodiksyon konbine soti nan plizyè douzèn Watts nan kèk santèn Watt.
Pwosesis pasivasyon fasèt propriétaires nou an asire fyab aplikasyon ki pi sevè yo mande yo.
Lajman itilize nan bote lazè, CLADDING lazè, koupe lazè, sous ponp, elatriye
Spesifikasyon:
Atik Tèb: LC808SB300
| Optik | |
| Longèdonn santral | 808nm |
| Pouvwa pwodiksyon optik | 300W |
| Mòd travay | QCW |
| Lajè spectre | 4nm |
| Kantite Emetè | 60 |
| Lajè emetè | 120μm |
| Anplasman emetè | 160μm |
| Konble Faktè | 75% |
| Lajè ba | 9900-10100μm |
| Longè Kavite | 1490-1510μm |
| Epesè | 110-150μm |
| Divèjans aks rapid (FWHM) | 39Deg |
| Divèjans aks dousman (FWHM) | 10 degre |
| Mòd polarizasyon | TE |
| Efikasite pant | 1.15W/A |
| Elektrik | |
| Fonksyone aktyèl Iop | 280A |
| Papòt aktyèl Ith | 30A |
| Fonksyone Voltage Vop | 1.8V |
| Konvèsyon Efikasite | 55% |
| Tèmik | |
| Tanperati Fonksyònman | 15-35℃ |
| Koefisyan Tanperati longèdonn | 0.28nm/℃ |
Tablo PIV
![)%3SMG2R0])_EE8{GGL(%HE](/Content/uploads/202098745/202003181500306962496.jpg)
1111
Baj popilè: 300w 808nm qcw diode lazè bare bar founisè, manifaktirè Lachin, faktori, wholesale, te fè nan peyi Lachin