300mW 500mW 976nm Lazè Chip Unmounted Bar
Materyèl k ap travay nan 300mW 500mW 976nm Lazè Chip Unmounted Bar se materyèl semi-conducteurs, ki fòme yon P-N junction pa konbine P-tip semi-conducteurs ak N- kalite semi-conducteurs. Atravè aktyèl la pi devan, se envèrsyon nan nimewo patikil reyalize, ak anba kontrent yo teknik nan materyèl la meditativ, se anplifikasyon nan limyè radyasyon ankouraje. Pwosesis sa a enplike eksitasyon elektrik kòm sous ponp lan, materyèl semi-conducteurs kòm mwayen benefis la, atravè anplifikasyon seleksyon mòd kavite sonan, ak Lè sa a, pwodiksyon lazè a ranpli konvèsyon foto-elektrik la.
Avantaj:
>lavi long
>efikasite segondè
>lajman ki itilize nan ponp endistriyèl, ekleraj lazè, R&D ak lòt jaden
Spesifikasyon
| Optik | Min | Typ | Max | Inite |
| Longèdonn santral | 971 | 976 | 981 | nm |
| Sortie pouvwa | 300 | 500 | mw | |
| Lajè spectre | 1.6 | 2 | nm | |
| Efikasite pant | 0.75 | 0.8 | W/A |
| Elektrik | Min | Typ | Max | Inite |
| Fonksyone aktyèl Iop | 600 | 700 | 800 | mA |
| Papòt aktyèl Ith | 30 | mA | ||
| Fonksyone Voltage Vop | 1.5 | 1.7 | 1.9 | V |
| Efikasite konvèsyon | 35 | 40 | % |
| Tèmik | Min | Typ | Max | Inite |
| Tanperati Fonksyònman | 15 | 20 | 25 | degre |
| Koefisyan | 0.3 | nm/ degre |
Pwosedi lòd:
1. Kontakte nou pou plis detay pa imel
2. Nou voye PI ba ou pou peman, tèm peman se T/T oswa Western Union
3. Yon fwa peman fin fè, nou pral fè aranjman pou pwodiksyon an
4. Tan livrezon se 1-4 semèn depann sou diferan kte lòd ak demann.
5. Apre livrezon, nou pral voye ba ou DHL UPS swiv pa gen okenn.
Baj popilè: 300mw 500mw 976nm lazè chip unmounted bar founisè, manifaktirè Lachin, faktori, wholesale, te fè nan peyi Lachin