1W 785nm Lazè Chip Sou Submount

1W 785nm Lazè Chip Sou Submount

Atik Tèb: COS785DL1
Voye rechèch
Dekri teren

 

1W 785nm Lazè Chip sou Submount

 

Deskripsyon Product

Menm jan ak mòn C-, CoS (chip sou submount) gen lazè a ekspoze san pwoteksyon nan chip la oswa fil kosyon li yo. Itilizatè a ta dwe gen konesans nan manyen ak aliye pake kalite sa a. CoS la tou trè vle lè lòt konpozan optik bezwen yo nan pwoksimite trè pre fasèt la devan. Submout AlN a se yon ekselan kondiktè chalè men CoS la pral mande pou refwadisman.

Karakteristik

Endistriyèl estanda AlN submounts

AuSn soude asire fyab alontèm

Longèdonn ki disponib: 780-1960nm

Segondè efikasite, lavi ki long

Aplikasyon

Ponpe efikas nan DPSSL ak lazè fib

Pwosesis materyèl

Medikal

Ekleraj

E33A6DE6091A4971D2E39797E8A89471
 

 

Fèy done:

Atik Tèb: COS785DL1

Optik

 

Longèdonn Sant

785nm

Tolerans longèdonn ± 5nm

Sortie pouvwa

1W

Lajè spectral FWHM 4nm
Efikasite pant 1.0W/A
Divèjans aks rapid{{0}(FWHM) 30Deg
Ralanti-Divèjans aks (FWHM) 10 degre
Elektrik  

Fonksyone aktyèl Iop

1.5A

Papòt aktyèl Ith

0.5A

Fonksyone Voltage Vop

1.8V

Pouvwa konvèsyon efikasite 50%

Tèmik

 

Tanperati Fonksyònman

15-55 degre

Tanperati Depo

-30 ~ 70 degre

 

Desen:

1{TBPF9SIM6IML7TVN{1W1H

Baj popilè: 1w 785nm lazè chip sou founisè submount, manifaktirè Lachin, faktori, wholesale, te fè nan peyi Lachin