2W 830nm Single-emetè SE Bare Lazè Bar

2W 830nm Single Emeteur Bare Lazè Bar Single-emetteur lazè dyod (SE) chips yo se blòk bilding debaz pou gwo pouvwa ak segondè-klere modil lazè semi-conducteurs. Nou fabrike bato sèl ak yon varyete pouvwa pwodiksyon ak longèdonn.

Operasyon:
Longèdonn santral	808nm
Pouvwa pwodiksyon optik	2W
Mòd operasyon	CW
Modulation pouvwa	100%

Jeyometrik:
Lajè emetè	40um
Longè Kavite	2000um
Chip Lajè	400um
Wotè Kavite	150um

Elektwo Optik Done:
Divèjans aks rapid (FWHM)	35 degre
Divèjans aks dousman (FWHM)	10deg
Spectral Bandwidth (FWHM)	3nm
Batman Ond	808nm
Efikasite pant	1.2W/A
Konvèsyon Efikasite	55%
Papòt aktyèl	0.3A
Fonksyone aktyèl	2A
Fonksyone Voltage	1.8V
Karakteristik Tanperati	0.28nm/℃
Polarizasyon	TE
LD Tanperati Fonksyònman	25℃




Remak

Lòt modèl ki disponib sou chwa ou yo, pls kontakte nou lib.

Baj popilè: 2w 830nm sèl-emetteur se bare lazè bar founisè, manifaktirè Lachin, faktori, wholesale, te fè nan peyi Lachin